Стартап - победитель конкурса Фонда содействия инновациям. Мы фокусируемся на выстраивании партнерской экосистемы в разработке инновационных технологий, в том числе элементов резистивной памяти. Мы открыты к предложениям и ищем точки соприкосновения с лидерами индустрии.
Некоторые решения, защищенные патентами
Устройства на основе резистивной памяти обеспечивают высокую производительность, надёжность и экономичность, а также возможность создания 3D-компоновки с прорывной плотностью хранения данных
Элемент резистивной памяти с дополнительным перфорированным электродом
Надёжное решение для хранения данных с высокой скоростью и низким энергопотреблением.
Мемристор со сдвоенным электродом
Решение позволяет улучшить главные параметры мемристора простым введением дополнительного электрода
Элемент резистивной памяти на основе островковых пленок алюминия
Мемристор с дополнительным электродом с уменьшенной толщиной
Патентообладатель Уразбеков Артур.
Преимущества технологии
Технология резистивной памяти обладает высокой скоростью, низким энергопотреблением, надёжностью и долговечностью, что делает её идеальным выбором для разных приложений.
Высокая скорость работы
Обеспечивает быструю запись и считывание данных, что повышает эффективность работы систем.
Энергоэффективность
Потребляет меньше энергии по сравнению с другими типами памяти, что снижает эксплуатационные расходы.
Надежность и долговечность
Имеет высокую устойчивость к износу и ошибкам, обеспечивая долгий срок службы.
Совместимость
Легко интегрируется с существующими системами и устройствами, минимизируя затраты на модернизацию.
Контактная информация technostart@internet.ru 634050, Томская область, г Томск, пр-кт Фрунзе, д. 109а
